Memoria Ram Notebook Ddr4 4gb 2666mhz Kingston Sodimm

Descripción

MEMORIA NOTEBOOK DDR4 4GB 2666MHZ KINGSTON SODIMM

Si tu computadora funciona con lentitud, si un programa no responde o no se carga, lo más probable es que se trate de un problema de memoria. Estos son posibles indicios de un rendimiento defectuoso en el día a día de tus tareas. Por ello, contar con una memoria Kingston -sinónimo de trayectoria y excelencia- mejorará la productividad de tu equipo: las páginas se cargarán más rápido y la ejecución de nuevas aplicaciones resultará más ágil y simple.

Potenciá tu PC
Con su tecnología DDR4, mejorará el desempeño de tu equipo, ya que opera en 3 y 4 canales, generando mayor fluidez y velocidad en la transferencia de datos. ¡Optimizá al máximo el rendimiento de tu computadora!

Tu equipo como nuevo
Esta memoria de formato SODIMM es ideal para tu Notebooks. ¡Instalala y comenzá a disfrutar de un óptimo funcionamiento!

Velocidad para exigentes
Si sos fanático de los juegos en línea o la usás para trabajar con programas o aplicaciones pesadas, esta memoria es para vos. Gracias a su velocidad de 2666 MHz, podrás disfrutar de un alto rendimiento y hacer tus trabajos de manera rápida y efectiva.


ESPECIFICACIONES

• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico
• VDDQ = 1,2 V típico
• VPP = 2,5 V típico
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación nominal y dinámica en matriz (ODT) para
señales de datos, luz estroboscópica y máscara
• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en la matriz
• Rango único
• EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2 incorporada
• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
• Topología fly-by
• Bus de dirección y comando de control terminado
• PCB: Altura 1,18"(30,00 mm)
• Cumple con RoHS y libre de halógenos
CL (IDD): 19 ciclos
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin): 45.75ns (min.)
Actualizar a Activo / Actualizar: 350ns (min.)
Tiempo activo de fila (tRASmin) 32ns (min.)
Clasificación UL: 94 V - 0
Temperatura de funcionamiento: 0°C a + 85°C
Temperatura de almacenamiento: -55°C a + 100°C



GAMING CITY COMPUTACION ESPECIALISTA EN GAMING

TENER EN CUENTA ANTES DE OFERTAR

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